工作内容：

IGBT及SIC芯片结构设计、工艺设计开发

1. 硅基IGBT、SiC Mosfet等功率芯片的结构设计、工艺设计及优化；

2. 完成器件仿真，确定芯片结构参数，设计芯片版图；

3. 基于Fab 厂实际能力制定工艺流程等

任职要求：

软件能力：

1. 半导体器件仿真软件Sentaurus/TS4/Sivalco的使用

2. 熟悉版图工具软件Cadence/LEDIT等